Главная / Программное обеспечение / Новое ПО Samsung обеспечит «бесконечную» работу накопителей PCIe Gen4 SSD

Новое ПО Samsung обеспечит «бесконечную» работу накопителей PCIe Gen4 SSD

Компания Samsung Electronics реализовала новейшие программные функции в твердотельных накопителях (SSD), использующих интерфейс PCIe Gen4.

В общей сложности внедрены три системы: это технология FIP (Fail-In-Place), виртуализация SSD и технология машинного обучения V-NAND.

Инструмент FIP, как утверждается, обеспечит «бесконечную» работу твердотельных накопителей. Ранее повреждение только одного из нескольких сотен чипов флеш-памяти NAND могло означать необходимость замены всего SSD. Технология FIP гарантирует, что устройство сможет продолжить нормальную работу даже при появлении ошибок на уровне чипов памяти. В случае проблем FIP выявляет неисправный чип, сканирует повреждения данных, а затем перемещает информацию в рабочие чипы. За счёт этого сохраняется работоспособность всего накопителя в целом.

В свою очередь, виртуализация SSD позволяет многократно (до 64 раз) делить один накопитель на диски меньшего объёма. Это даёт возможность предоставлять многим пользователям независимые виртуальные рабочие пространства. Технология виртуализации также позволяет твердотельным накопителям выполнять ряд задач, которые обычно возложены на процессоры сервера.

Технология машинного обучения V-NAND помогает точно предсказывать и проверять характеристики ячейки, а также выявлять любые неполадки в микросхемах с помощью анализа больших данных. За счёт этого повышается надёжность хранения информации. 

Смотрите также

Cyberpunk 2077 «вероятно, не выйдет» на Nintendo Switch

CD Projekt RED подтвердила, что её будущий научно-фантастический ролевой боевик Cyberpunk 2077, скорее всего, не …

Немецким операторам разрешили использовать оборудование Huawei для сетей 5G

Федеральное правительство Германии приняло решение разрешить компании Huawei поставлять своё телекоммуникационное оборудование для создания в …

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *